Toshiba bringt RF-Antennenumschalter-ICs für Smartphones mit LTE-Advanced heraus

Die Toshiba Corporation (TOKYO:6502) hat heute bekannt gegeben, dass sie SP12T^[1]-RF-Antennenumschalter-ICs für Smartphones entwickelt hat, die LTE-Advanced unterstützen und die geringste Einfügungsdämpfung^[2,4] und HF-Verzerrung^[3,4] in der Branche erreichen. Muster werden ab heute versandt.

Toshiba: SP12T RF Antenna Switch IC (Photo: Business Wire)

Angesichts der Verbreitung der mobilen Kommunikation steigen die RF-Bandfrequenzen und Datenübertragungsgeschwindigkeiten dramatisch. Die Anforderungen für Antennenumschalter-ICs, die in den RF-Schaltkreisen mobiler Geräte verwendet werden, tendieren zu Multiport und Verbesserungen der RF-Leistung, inklusive Einfügungsdämpfung und Linearität. Um dem enormen Wachstum bei mobilen Kommunikationsgeräten mit hohen Datenübertragungsraten auf neuen Märkten gerecht zu werden, ist es nötig, diese Verbesserungen der RF-Leistung mittels einer kosteneffektiven Methode zu erzielen.

Als Reaktion auf diese Anforderungen hat Toshiba "TaRF6”, ein TarfSOI^{TM [5]}-Verfahren ("Toshiba advanced RF SOI”, modernes HF-Silizium-auf Isolator von Toshiba) mit Silizium-auf-Isolator-Technologie (SOI)^[6], entwickelt. TarfSOI^TM realisiert die Integration von analogen, digitalen und HF-Schaltkreisen auf einem einzigen Chip. Im Vergleich zu anderen konventionellen Lösungen wie GaAs stellt es eine kosteneffektive Lösung dar, die äußerst komplexe Umschaltfunktionen und eine hohe HF-Leistung unterstützt.

Mit dem neuen "TaRF6”-Verfahren wurden auf RF-Schalteranwendungen abgestimmte MOSFETs entwickelt und beim neuen SP12T-RF-Antennenumschalter-IC verwendet, was eine Leistung mit Einfügungsdämpfung von 0,42dB (f=2,7GHz) und Verzerrung durch Frequenzverdopplung von -90dBm ermöglicht^[7]. Im Vergleich zu Produkten mit dem bisher verwendeten "TaRF5”-Verfahren gibt es eine Verbesserung der Einfügungsdämpfung um 0,26dB (f=2,7GHz) und eine Verbesserung der Verzerrung durch Frequenzverdopplung um 18dB. Die geringere Einfügungsdämpfung kann zu einem geringeren Stromverbrauch von Smartphones beitragen, während die geringere Verzerrung zur Entwicklung von Carrier-Aggregation^[8]-Smartphones beitragen kann, die eine geringe Verzerrung erforderlich machen.

Toshiba wird die Produktlinie mittels des "TaRF6”-Verfahrens mit geringer Einfügungsdämpfung und geringer Verzerrung bis Ende des Jahres erweitern, um die Anforderungen für Multiport- und komplexe Funktionen zu erfüllen, die bei LTE nötig sind. LTE wird jetzt weltweit eingeführt, und LTE-Advanced^[9] soll folgen. Außerdem erwägt Toshiba, SOI-Fertigungsservices mit TarfSOI^TM-Technologie anzubieten.

Weitere Informationen zu RF-Antennenumschalter-ICs von Toshiba finden Sie unter:
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/rf/rf_sw/index.html

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Über Toshiba

Die Toshiba Corporation, ein Unternehmen der Fortune 500, bringt ihre Weltklasse-Kapazitäten bei hochentwickelten elektronischen und elektrischen Produkten und Systemen in fünf strategische Geschäftsbereiche ein: Energie und Infrastruktur, Lösungen für das Gemeinwesen, Gesundheitssysteme und -dienstleistungen, elektronische Geräte und Komponenten sowie Lifestyle-Produkte und -Dienstleistungen. In Übereinstimmung mit den Grundprinzipien der Toshiba-Unternehmensgruppe bezüglich "Engagement für Menschen, Einsatz für die Zukunft" fördert Toshiba die weltweiten Aktivitäten zur Gewährleistung von "Wachstum durch Kreativität und Innovation" und trägt dazu bei, eine Welt zu schaffen, in der Menschen in jeder Gesellschaft in Sicherheit und Komfort leben können.

Toshiba wurde 1875 in Tokio gegründet und bildet heute den zentralen Knotenpunkt eines Netzwerks von 590 Konzernunternehmen, die weltweit über 200.000 Mitarbeiter beschäftigen, bei einem Jahresumsatz von über 6,5 Billionen Yen (63 Milliarden US-Dollar).
Weitere Informationen über Toshiba finden Sie unter www.toshiba.co.jp/index.htm

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