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GNW-News: GT Advanced Technologies eröffnet neue Fertigungsstätte für Siliziumkarbid
GT Advanced Technologies eröffnet neue Fertigungsstätte für Siliziumkarbid
Die hochgradig skalierbare Anlage wird der wachsenden Nachfrage nach
hochwertigem Siliziumkarbidmaterial gerecht werden
HUDSON, N.H., 28. Juni 2018 (GLOBE NEWSWIRE) -- Die GTAT Corporation (GTAT) hat
am Dienstag, 26. Juni 2018, ihre neue hochmoderne Siliziumkarbid-
Fertigungsanlage mit einer Neubaueinweihungszeremonie eröffnet, an der Vertreter
des Bundesstaats und der Region teilnahmen, die vor Ort waren, um das Ereignis
zu feiern. Auf der Anlage in Hudson, New Hampshire, befinden sich auch die neue
Unternehmenszentrale sowie ein modernes Forschungs- und Entwicklungszentrum.
Siliziumkarbid, ein entscheidendes Material für Hochleistungselektronik, ist ein
Schlüsselelement für eine neue Generation von Produkten in wachsenden Märkten
wie Elektrofahrzeugen, Rechenzentren und Solarsystemen. GTAT ist führend in der
Entwicklung fortschrittlicher Materialien, Ausrüstungen und Technologielösungen
für globale Märkte im Bereich der Photovoltaik und Optoelektronik.
"Die Eröffnung unserer neuen Siliziumkarbid-Produktionsstätte ist ein
bedeutender Meilenstein für den Übergang des Unternehmens von einem
Ausrüstungsanbieter zu einem Rohstoffunternehmen", sagte Greg Knight, President
und Chief Executive Officer von GTAT. "Diese wunderschöne, neue
Produktionsstätte positioniert uns als eines der wenigen Unternehmen weltweit
mit dem Know-how und der Kapazität, qualitativ hochwertiges
Siliziumkarbidmaterial für eine wachsende Anzahl von
Leistungselektronikanwendungen in wachstumsstarken Märkten anzubieten. Unsere
Expertise in Bezug auf Kristallwachstumsanlagen, die Verwaltung von Lieferketten
und profundes Fachwissen über einer Reihe fortschrittlicher Materialien hat uns
einen Wettbewerbsvorteil bei der Erfüllung der wachsenden Nachfrage nach
Halbleitern mit breiter Bandlücke verschafft."
Das Unternehmen vermarktet weiterhin andere Technologien wie seine neuen
Rohrwendeln zur Senkung der Kosten für die Herstellung von Polysilizium und
seine kontinuierliche Cz-Zuführung, die die Kosten für die Herstellung von
monokristallinen Siliziumwafern für die Solarindustrie senkt.
Über die GTAT Corporation
Die GTAT Corporation ist ein diversifiziertes Technologieunternehmen, das
fortschrittliche Materialien und innovative Kristallwachstumstechnologie für die
Solar-, Leistungselektronik- und Optoelektronik-Industrie herstellt. Die
technischen Innovationen des Unternehmens beschleunigen über diese
diversifizierten globalen Märkte hinweg das Wachstum einer neuen
Produktgeneration. Weitere Informationen über das Unternehmen erhalten Sie
unter www.gtat.com.
Ein Foto zu dieser Pressemitteilung ist unter folgendem Link verfügbar:
http://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/5a853bf2-cf52-4e51-ae93-
ca62beef3f5a
Kontakt:
Unternehmen
Jessica Forleo
jessica.forleo@gtat.com
+1.603.417.2211
Medien
Jeff Nestel-Patt
jeff@jnpmarketinggroup.com
+1.978.761.8303
This announcement is distributed by Nasdaq Corporate Solutions on behalf of Nasdaq Corporate Solutions clients.
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Source: GT Advanced Technologies via GlobeNewswire

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