18.07.2013 17:02:00
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Toshiba führt "DTMOS IV"-Serie mit Superjunction-MOSFETs für 650-Volt-Systeme ein
Die Toshiba
Corporation (TOKYO:6502) kündigte heute die Einführung ihrer
Superjunction-MOSFETs der 4. Generation, die "DTMOS IV"-Serie der
650-Volt-Geräte, an. Als Anfangsprodukt wurde "TK14A65W" in die Serie
eingeführt. Die Serienproduktion wird im August 2013 aufgenommen.
Durch
die Anwendung eines neuen einzelnen Epitaxieverfahrens verringert die
Serie die Ron·A (on resistance per area) im Vergleich zur bestehenden
650-Volt-Serie "DTMOS II" um etwa 50 Prozent2. Dies
ermöglicht die Aufreihung kleiner Pakete, was wiederum zu einer
optimierten Stromeffizienz und der Verkleinerung der Pakete beträgt, in
die sie integriert sind.
Toshiba 650V system DTMOS IV series, "TK14A65W" (Photo: Business Wire)
Hauptspezifikationen |
||||||||||||
Teilenummer |
Gehäuse |
Absolute Maximalwerte |
RDS(ON) Max (O) |
Qg Typ. (nC) |
Ciss Typ. (pF) |
|||||||
VDSS (V) | ID (A) | VGS=10 V | ||||||||||
TK14A65W | TO-220SIS | 650 | 13,7 | 0,25 | 35 | 1300 |
Anmerkungen:
[1] Ab Juli 2013. Untersuchung der Toshiba Corporation.
[2]
Im Vergleich zu "TK17A65U".
Weitere Informationen zu diesem Produkt finden Sie unter dem folgenden
Link:
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1324030_37649.html
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