NIKKEI 225
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25.01.2013 21:33:00
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Toshiba stellt bei der nano tech 2013 Spitzentechnologien vor
Die Toshiba Corporation (TOKYO:6502) kündigte heute eine Reihe innovativer Technologien an, die das Unternehmen bei der Internationalen Konferenz und Messe für Nanotechnologie, der "nano tech 2013 – The 12th International Nanotechnology Exhibition & Conference" präsentieren wird. Die weltweit größte Nanotechnologie-Messe und -tagung findet vom 30. Januar bis zum 1. Februar auf dem Big Sight-Messegelände in Tokio statt. http://www.nanotechexpo.jp/en/index.html
Toshiba ist weltweit in der Smart Community aktiv, einer Branche die als zukünftiger Wachstumsbereich angesehen wird. Bei der anstehenden Messe präsentiert Toshiba innovative Nanotechnologielösungen, die zu "umfassenden Speicherinnovationen" und "umfassenden Energieinnovationen" beitragen werden. Die Innovationen sollen als Katalysator dienen, um das von der Toshiba Group vorgeschlagene Smart Community-Konzept zu verwirklichen.
Die Toshiba Group stellt ihre weitreichenden Nanotechnologielösungen in 14 technischen Disziplinen auf 3 Ausstellungsflächen vor. Im Fokus stehen dabei jeweils "umfassende Speicherinnovationen", "fortschrittliche und hochentwickelte Materialien" und "umfassende Energieinnovationen".
Ausstellungen
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1. Umfassende Speicherinnovationen |
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| 1. | NAND Flash-Speicher mit fortschrittlicher Prozesstechnik | |||
| Hochmoderne 19 nm NAND-Prozesstechnik; Geschwindigkeit eines Hybridlaufwerks (Festplattenlaufwerk mit integriertem NAND-Flash-Speicher) | ||||
| 2. | Dreischichtstruktur für Lesekopf des Festplattenlaufwerks | |||
| Material- und Konstruktionstechnologie für Nanostrukturen und Magnetschichten, die nötig sind, um Leseköpfe für Festplattenlaufwerke mit großer Speicherkapazität herzustellen | ||||
| 3. | Hochmoderne Maskenstrukturierungstechnologie | |||
| Hochmoderne (hp22nm Gerät) Strukturierungstechnologie für Elektronenstrahlmasken, welche für innovative Halbleiterprozesse erforderlich ist | ||||
| 4. | Directed Self-Assembly Lithography (DSAL) | |||
| Kostengünstige Nanostrukturierungstechnologie für den 10 nm Knoten durch Polymer-Beschichtung, Härtung und Entwicklung | ||||
| 5. | Fortschrittliche Materialanalysetechnik mit dreidimensionaler Nanometer-Auflösung | |||
| Technologie zur Strukturanalyse von Geräten auf atomarer Ebene zur Unterstützung der Halbleiter-Zuverlässigkeit | ||||
| 6. | Transparente leitende Schichten aus Graphen und Silbernanodraht | |||
| Technologie zur Herstellung von Mehrschichtbeschichtungen aus Graphen, Silbernanodrähten und Polymeren für transparente leitende Schichten, die das Gewicht reduzieren und die Flexibilität von photoelektrischen Geräten erhöhen | ||||
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2. Fortschrittliche und hochentwickelte Werkstoffe |
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| 1. | Nitridkeramik mit hoher Wärmeleitfähigkeit | |||
| Keramikplatten mit hoher Wärmeleitfähigkeit, guter Isolation und großer Festigkeit zur Verringerung des Energieverbrauchs und der Größe und zur Verbesserung der Leistung von elektronischen Komponenten und Modulen | ||||
| 2. | Nanostrukturierte luminiszente Werkstoffe (S-SIALON Phosphor / Röntgen-Szintillator Gd2O2S:Pr (GOS)) | |||
| Phosphor-Werkstoff-Technologie, die eine Lichtemissionssteuerung für Anwendungen wie LED-Beleuchtung und Röntgenuntersuchungssysteme ermöglicht | ||||
| 3. | Neuer Wolframwerkstoff (Fotokatalysator, thoriumfreie Elektrode) | |||
| Wolfram-Werkstoff-Technologie, die zu neuen Eigenschaften oder hoher Leistung beiträgt, z.B. bei Photokatalysatoren, thermionischen Elektroden usw. | ||||
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3. Umfassende Energieinnovationen |
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| 1. | Organische Photovoltaik | |||
| Nanostruktur-Steuerungs-Technologie für organische Schichten zur Herstellung von Photovoltaik-Zellen mit organischer Schicht, die den höchsten Umwandlungswirkungsgrad der Welt aufweisen und sich für den Einsatz in der Innenbeleuchtung eignen | ||||
| 2. | Dy-freie Permanentmagneten für Motoren | |||
| Fabrikationstechnologie im Nanobereich für magnetische Werkstoffe zur Herstellung von hocheffizienten Motoren mit verringertem Verbrauch natürlicher Ressourcen | ||||
| 3. | Wiederaufladbarer Akku SCiB™ für die Autoindustrie und stationäre Anwendungen | |||
| Nano LTO Verbundelektrodentechnologie und -anwendungen zur Herstellung leistungsstarker Akkus mit hohem Input/Output, geringem Widerstand und einer langen Lebensdauer | ||||
| 4. | Supraleitender Filter für den Wetterradar | |||
| Steuertechnologie mit Nanoschnittstelle für einen supraleitenden Filter, der für den Wetterradar entwickelt wurde und mit dem lokale, wolkenbruchartige Regenfälle beobachtet werden können | ||||
| 5. | Innovative Beleuchtungslösungen (OLED-Beleuchtung, LD-Anregungslichtquelle) | |||
| Struktursteuerungstechnologie für organische Schichten um OLED-Beleuchtung und LD-Anregungslichtquellen im Alltag umzusetzen | ||||
Über Toshiba
Toshiba ist einer der weltweit führenden Hersteller, Lösungsanbieter und
Vermarkter hoch entwickelter elektronischer und elektrischer Produkte
und Systeme mit einem breit gefächerten Produktspektrum. Als innovativer
und zukunftsweisender Konzern ist Toshiba in einer Vielzahl von
Geschäftsfeldern aktiv: digitale Produkte, einschließlich LCD-Fernseher,
Notebook-Computer, Einzelhandelslösungen und Multifunktionsgeräte;
elektronische Geräte, einschließlich Halbleiter, Speicherprodukte und
-materialien; Infrastruktursysteme für Industrie und Gesellschaft,
einschließlich Anlagen zur Energieerzeugung, intelligente Lösungen für
das Gemeinwesen, medizinische Systeme, Rolltreppen und Aufzüge;
Haushaltsgeräte.
Toshiba wurde 1875 gegründet und betreibt heute
ein weltumspannendes Netzwerk aus über 550 angeschlossenen Firmen. Das
Unternehmen hat weltweit 202.000 Mitarbeiter und sein jährlicher
Gesamtumsatz übersteigt 6,1 Billionen Yen (74 Milliarden US-Dollar).
Besuchen Sie die Website von Toshiba unter www.toshiba.co.jp/index.htm
Die Informationen in diesem Dokument, einschließlich der Produktpreise und Produktbeschreibungen, der Leistungsinhalte und der Kontaktdaten, entsprechen zum Veröffentlichungsdatum dieser Pressemitteilung zwar dem neuesten Stand, können jedoch ohne vorherige Ankündigung geändert werden.
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