DGAP-News: AIXTRON AG

DGAP-News: AIXTRON erreicht ehrgeizige Produktivitätsziele bei Epistar mit neuem AIXTRON-Anlagentyp G5

AIXTRON AG / Produkteinführung/Kooperation

22.02.2010 08:33

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AIXTRON erreicht ehrgeizige Produktivitätsziele bei Epistar mit neuem AIXTRON-Anlagentyp G5

Aachen / Hsinchu, 22. Februar 2010 - (AIXTRON AG: FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6; NASDAQ: AIXG, ISIN US0096061041) AIXTRONs neue Anlagen-Generation AIX G5 HT erreicht ausgezeichnete Depositionsraten von über 6 µm/h mit exzellenter GaN/InGaN-Homogenität bei einem Reaktordruck höher 600 mbar, ohne Ausheizen der Beschichtungskammer und ohne Austauschen der Teile. Das taiwanesische Unternehmen Epistar (Hsinchu Science-based Industrial Park) hat die Epitaxie mit der neu eingeführten MOCVD*-Anlage durchgeführt, die jetzt für den Betrieb in der Massenproduktion vorbereitet wird.

Die neue AIX G5 HT-Plattform trumpft nicht nur mit der größten kommerziell verfügbaren Waferkapazität von 56x2-Zoll / 14x4-Zoll / 8x6-Zoll auf. Bahnbrechende Neuerungen beim Anlagendesign erlauben hohe Wachstumsraten und aufeinander folgende Produktionsläufe ohne Ausheizen des Reaktors oder Austauschen von Reaktorteilen. Verglichen mit Vorgänger-Systemen konnte der Durchsatz bei gleichzeitig hoher Qualität mehr als verdoppelt werden.

Die neue Anlage bildet damit die derzeitige Qualitätsspitze in punkto Prozessflexibilität und stabilität. Sie kann schneller in die Produktion überführt werden als jede andere Anlage und zeigt eine hervorragende Reproduzierbarkeit der Prozesse von Anlage zu Anlage. Der einfache Prozesstransfer ist einer der Schlüsselfaktoren im schnell wachsenden MOCVD-Markt, dem nur eine begrenzte Anzahl Prozessexperten zur Verfügung steht.

'AIXTRON hatte hoch gesteckte Entwicklungsziele für die neue Anlagen-Generation bei Unterzeichnung unserer Kooperationsvereinbarung', sagt Epistar-Vorstand Dr. Ming-Jiunn Jou. 'Sie sind in einem bemerkenswerten Tempo umgesetzt worden. Mit den jetzt erreichten Homogenitätsgraden sind wir zuversichtlich, unseren Produktionsertrag mit diesem MOCVD Reaktor erheblich steigern zu können.' Man wolle nun 'schnellstens mit dieser Anlage produzieren, um die neuen Vorteile auszuschöpfen.'

Gerd Strauch, Corporate Product Design & Engineering, leitet beim Anlagenbauer AIXTRON die Planetary Reactor(R)-Entwicklung: 'In der Tat bin ich sehr zufrieden mit den schnellen Fortschritten bei Epistar. Sie zeigen, dass wir mit dem zielorientierten Design der neuen Reaktorkammer, unserer innovativen CFD**-Modellierung und der Anlagenqualifizierung in unserem Labor gute Arbeit geleistet haben. Es ist uns gelungen, die Epitaxiequalität aus unserem Labor 1:1 auf die Epistar-Anlage zu übertragen.'

*MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung **CFD, Computational Fluid Dynamics = Numerische Strömungsmechanik

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6; NASDAQ: AIXG, ISIN US0096061041) sind im Internet unter http://www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen Diese Mitteilung kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON im Sinne der 'Safe Harbor'-Bestimmungen des US-amerikanischen Private Securities Litigation Reform Act von 1995 enthalten. Begriffe wie 'können', 'werden', 'erwarten', 'rechnen mit', 'erwägen', 'beabsichtigen', 'planen', 'glauben', 'fortdauern' und 'schätzen', Abwandlungen dieser Begriffe und ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Die zukunftsgerichteten Aussagen geben unsere gegenwärtigen Beurteilungen und Annahmen wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Die nachgenannten Faktoren ebenso wie die weiteren in den von AIXTRON bei der U. S. Securities and Exchange Commission eingereichten öffentlichen Berichten und Meldungen genannten gehören zu denjenigen Faktoren, die zur Folge haben können, dass die tatsächlichen und künftigen Ergebnisse und Trends wesentlich von unseren zukunftsgerichteten Aussagen abweichen: Die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge; der Umfang der Marktnachfrage nach Chemical Vapor Deposition (CVD)-Technologie; der Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden; das Finanzmarktklima und die Zugangsmöglichkeiten zu Finanzierungen; die allgemeinen Marktbedingungen für Dünnfilmbeschichtungs-Anlagen und das makroökonomische Umfeld; Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen; Einschränkungen der Produktionskapazität; lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen; Schwierigkeiten im Produktionsprozess; Veränderungen beim Wachstum der Halbleiterindustrie; Verschärfung des Wettbewerbs; Wechselkursschwankungen; Verfügbarkeit öffentlicher Mittel; Zinsschwankungen bzw. verfügbare Zinskonditionen; Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte; schlechtere allgemeine wirtschaftliche Bedingungen als erwartet und sonstige Faktoren. Die in dieser Mitteilung enthaltenen zukunftsgerichteten Aussagen haben Gültigkeit im Zeitpunkt dieser Mitteilung und AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, ausgenommen bei Bestehen einer entsprechenden rechtlichen Verpflichtung.

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