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U.S. International Trade Commission (ITC) entscheidet zugunsten von

Infineon und verhängt ein Import- und Vertriebsverbot gegen

Innoscience

München (ots) - - ITC hat im Patentverletzungsverfahren gegen Innoscience

zugunsten von Infineon entschieden

- Die Behörde untersagt Innoscience den Import und Verkauf von

Galliumnitrid-Produkten in den USA

- Entscheidung unterstreicht erneut den Wert des branchenführenden

Patentportfolios von Infineon

Die Full Commission der US International Trade Commission (ITC) hat die

vorläufige Feststellung vom Dezember 2025 bestätigt, wonach Innoscience ein

Infineon-Patent im Bereich der Galliumnitrid-(GaN)-Technologie verletzt hat. Die

Behörde ordnete ein Import- und Verkaufsverbot gegen Innoscience an. Diese

Entscheidung und die Unterlassungsverfügungen unterliegen einer 60-tägigen

Überprüfungsfrist durch den US-Präsidenten.

"Diese Entscheidung unterstreicht einmal mehr die Stärke des geistigen Eigentums

von Infineon. Sie bestätigt unser Engagement, das Patentportfolio von Infineon

konsequent zu schützen und einen fairen Wettbewerb im Markt sicherzustellen",

sagt Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter des GaN-Geschäfts bei

Infineon. "Mit unserer branchenführenden 300-Millimeter-GaN-Fertigung sind wir

herausragend positioniert, um Innovationen zu skalieren. Dadurch können wir

unseren Kunden genau die Leistungs-, Qualitäts- und Kostenvorteile bieten, die

sie benötigen, um die Dekarbonisierung und Digitalisierung weiter

voranzutreiben", fügt er hinzu.

Das Urteil ist eine weitere positive Entscheidung, die die Rolle von Infineon im

Bereich der GaN-Technologie unterstreicht. In einem weiteren Rechtsstreit in

Deutschland macht Infineon die Verletzung von drei Patenten und eines

Gebrauchsmusters vor dem Landgericht München I geltend. Bereits im August 2024

hat das Münchner Gericht eine Verletzung des ersten Infineon-Patents durch

Innoscience festgestellt. Die Verhandlungen zu einem Patent und einem

Gebrauchsmuster sind für Juni 2026 angesetzt.

Infineon ist ein führender Integrated Device Manufacturer (IDM) im GaN-Markt mit

dem branchenweit breitesten IP-Portfolio, das rund 450 GaN-Patentfamilien

umfasst. GaN spielt eine Schlüsselrolle bei der Realisierung leistungsstarker

und energieeffizienter Leistungssysteme in einer Vielzahl von Anwendungen,

darunter erneuerbare Energiesysteme, KI-Rechenzentren, industrielle

Automatisierung und Elektrofahrzeuge (EVs). Durch höhere Leistungsdichte,

schnellere Schaltgeschwindigkeiten und geringere Leistungsverluste ermöglichen

GaN-Halbleiter kompaktere Designs, verringern Energieverbrauch und

Wärmeentwicklung. Als führendes Unternehmen im Bereich Leistungssysteme

beherrscht Infineon alle drei relevanten Materialien: Silizium (Si),

Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN).

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von

Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit

seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und

Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte

(Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen

Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol

"IFX" und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol

"IFNNY" notiert.

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